Прошлые домены не функционирует! Используйте адрес
ARHIVACH.VC.
24 декабря 2023 г. Архивач восстановлен после серьёзной аварии. К сожалению, значительная часть сохранённых изображений и видео была потеряна.
Подробности случившегося. Мы призываем всех неравнодушных
помочь нам с восстановлением утраченного контента!
«Дорожная карта» создания российского литографа
В России разработали «дорожную карту» создания литографа, который будет дешевле, а в изготовлении проще, чем оборудование нидерландской ASML. Но при этом российская установка будет не менее эффективной. Это следует из «Новой концепции развития высокопроизводительной рентгеновской литографии», подготовленной сотрудником Института физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН) Николаем Чхало, которая оказалась в распоряжении CNews.
Реализация «дорожной карты» позволит в разумные сроки создать в стране собственные современные нанолитографические установки, отмечается в документе.
ИФМ РАН предлагает уменьшить рабочую длины волны литографа с 13,5 до 11,2 нм. Ожидается, что этот подход снизит затраты как на изготовление вакуумных элементов и систем, и литографа в целом, так и на стоимость эксплуатации.
Инновационная концепция
Для создания отечественного литографа, не уступающего ASML, ИФМ РАН предлагает ряд инноваций. Например, длина волны 11,2 нм. Это должно привести к увеличению разрешающей способности установки на 20% (разрешающая способность определяется, как минимальный элемент, воспроизведенный в слое фоторезиста).
«Это позволит уменьшить габаритные размеры и существенно упростить изготовление зеркал, а также заметно удешевить производство объектива, — отмечает Чхало. — В российской установке планируется заменить оловянный лазерно-плазменный источник на ксеноновый. Это должно на порядки уменьшить загрязнения оптических элементов продуктами разлета материала источника. В разы возрастет время жизни дорогостоящих коллектора и pellicle (свободновисящих многослойных пленок для защиты масок), а значит и масок».
Переход к длине волны 11,2 нм в потенциале открывает возможность использования резистов на основе кремния, в частности кремнийорганических. Наибольшей чувствительностью при высоких параметрах передачи рисунка в EUV-литографии обладают органические резисты, следует из концепции. «Можно ожидать, что увеличение доли кремния в резисте приведет к заметному увеличению эффективности резиста на длине волны 11,2 нм по сравнению с 13,5 нм», — подчеркивает Чхало.
Сравнение российского и литографа ASML
В таблице (на второй пикче - ОП) приводится сравнение основных параметров литографа TWINSCAN NXE:3600D производства ASMLс ожидаемыми параметрами литографа, разрабатываемого в ИФМ РАН.
Как видно из таблицы, при средней мощности лазера 3,6 кВт ожидаемая производительность на длине волны 11,2 нм будет меньше примерно в 2,7 раза, чем у ASML-литографа.
«Для фабрик, у которых рынок продукции меньше, чем у 5-топ компаний, этой величины вполне достаточно, с учетом того что из всех слоев на чипе рентгеновская литография используется только при формировании нескольких критических слоев, — отмечается в документе. — —Таким образом, успешная реализация данной концепции позволит достичь целей повышения доступности рентгеновской литографии для пользователей без ущерба разрешающей способности».
Работа в три этапа
По аналогии с опытом развития мировой EUV-литографии реализация предложенной концепции предполагает три этапа, приводит Чхало.
Первый этап состоит из научно-исследовательской работы (НИР) с элементами опытно-конструкторской (ОКР). Планируется создать критические технологии рентгеновской литографии, выявить основные проблемы по всем ключевым технологиям и выработать предложения по коррекции технических решений.
Помимо этого, планируется сформировать кооперационные связи и список оборудования, необходимого для решения задач второго этапа. Создать экспериментальный образец литографа для тестирования всех элементов в реальном технологическом процессе, разработать резисты и отработать технологии формирования наноструктур методом рентгеновской литографии.
Среди целей второго этапа заявлено создание опытного образца высокопроизводительного литографа с шестизеркальным проекционным объективом, мультикиловаттной лазерной системой, системой сканирования для пластин 200/300 мм. В том числе, планируется интеграция рентгеновской литографии в высокопроизводительную линейку производства передовых отечественных чипов, создание кооперационных цепочек для производства основных элементов и систем литографа.
Результатами этапа станут опытный образец литографа с производительностью более 60 пластин 200 мм в час. Также планируется интеграция рентгеновской литографии в технологическую цепочку производства чипов на передовой отечественной фабрике, позволяющая использовать эту технологию при производстве критических, с минимальными топологическими нормами, слоев, а также формулирование технического задания и технико-экономического обоснования на опытный образец литографа для индустриальных применений.
Третий этап предполагает создание литографа, адаптированного к эксплуатации на фабрике, с производительностью пластин диаметром 300 мм более 60 в час, организацию серийного производства литографов в России.
Сроки прохождения этапов в документе не названы.
О начале работы над литографом в ИПФ РАН CNews сообщал в октябре 2022 г. Предполагалось, что установка сможет выпускать чипы по топологии 7 нм. Полноценную работу оборудование может начать в 2028 г. В РАН ожидают, что российский литограф будет в 1,5-2 раза эффективнее того, что создан ASML.
https://www.cnews.ru/news/top/2024-12-13_v_rossii_razrabotali_dorozhnuyu