Добавлена поддержка Ежчана (
ejchan.net,
ejchan.site). Набегаем, тестируем архивацию,
сообщаем о замеченных проблемах.
К сожалению, значительная часть сохранённых до 2024 г. изображений и видео была потеряна (
подробности случившегося). Мы призываем всех неравнодушных
помочь нам с восстановлением утраченного контента!
Монокристаллический кремний — выращивание практически бездефектных 300-мм кристаллов.
Сверхплоские пластины — полировка поверхности до атомарной гладкости.
EUV-источник — лазер, стреляющий по микрокаплям олова, стабильная оловянная плазма и получение мощного излучения 13,5 нм.
EUV-зеркала — многослойные Mo/Si-зеркала с экстремально малой шероховатостью и контролем каждого слоя.
EUV-оптика — система зеркал с юстировкой на нанометровом уровне.
Сверхвысокий вакуум — камеры, насосы и материалы, пригодные для EUV.
Нанопозиционирование — столы и приводы, перемещающие пластину с субнанометровой точностью.
EUV-фотомаски — сверхчистая заготовка, многослойное покрытие, электронно-лучевая запись, травление, ремонт и контроль дефектов.
EUV-пелликулы — почти прозрачная для EUV сверхтонкая защитная мембрана маски.
Фоторезисты — материалы с контролируемой химической реакцией на EUV и минимальной шероховатостью получаемого рисунка.
Электронно-лучевая запись — нанесение рисунка на маски с нанометровой точностью.
Оптическая коррекция OPC — программно рассчитывать искажённую маску, чтобы после прохождения оптики получалась нужная геометрия.
Осаждение атомарно тонких слоёв — ALD/CVD/PVD с контролем толщины буквально на уровне отдельных атомных слоёв.
Плазменное травление — выборочно удалять материал, не повреждая соседние слои.
Ионная имплантация — внедрять примеси в кремний на строго заданную глубину и концентрацию.
Атомарное легирование и активация — получать требуемые электрические свойства транзистора.
CMP — выравнивать поверхность после каждого сложного набора слоёв практически до идеальной плоскости.
Нанометрическая метрология — измерять размеры, толщину, совмещение слоёв и дефекты прямо в процессе производства.
Контроль частиц — обнаруживать и устранять загрязнения, способные испортить отдельный транзистор.
GAA/nanosheet-транзисторы — массово формировать нанолисты с одинаковой геометрией на всей пластине.
Многоуровневая металлизация — создавать десятки уровней сверхтонких соединений с минимальным сопротивлением и паразитными ёмкостями.
Совмещение слоёв (overlay) — накладывать десятки последовательных рисунков друг на друга с нанометровой точностью.
Высокий yield — научиться делать всё это миллиарды раз подряд так, чтобы дефекты не превращали производство в брак.
Передовая упаковка — сверхплотное соединение кристаллов, TSV, гибридная 3D-сборка, chiplet и CoWoS-подобные системы.
HBM — производство многослойной памяти и её соединение с вычислительными кристаллами.
Собственная следующая литография — после обычной EUV освоить High-NA EUV, новые маски и соответствующую оптику.тику.