Добавлена поддержка Ежчана (ejchan.net, ejchan.site). Набегаем, тестируем архивацию, сообщаем о замеченных проблемах.
К сожалению, значительная часть сохранённых до 2024 г. изображений и видео была потеряна (подробности случившегося). Мы призываем всех неравнодушных помочь нам с восстановлением утраченного контента!
Сортировка: за
Сохранен
260
Эту хуйню нам никогда не догнать, пора бы уже признать очевидное. Чтобы сделать топовый процессор ну — Эту хуйню нам никогда не догнать, пора бы уже признать очевидное. Чтобы сделать топовый процессор нужно всего лишь: Монокристаллический кремний — выращивание практически бездефектных 300-мм кристаллов. Сверхплоские пластины — полировка поверхности до атомарной гладкости. EUV-источник — лазер, стреляющий по микрокаплям олова, стабильная оловянная плазма и получение мощного излучения 13,5 нм. EUV-зеркала — многослойные Mo/Si-зеркала с экстремально малой шероховатостью и контролем каждого слоя. EUV-оптика — система зеркал с юстировкой на нанометровом уровне. Сверхвысокий вакуум — камеры, насосы и материалы, пригодные для EUV. Нанопозиционирование — столы и приводы, перемещающие пластину с субнанометровой точностью. EUV-фотомаски — сверхчистая заготовка, многослойное покрытие, электронно-лучевая запись, травление, ремонт и контроль дефектов. EUV-пелликулы — почти прозрачная для EUV сверхтонкая защитная мембрана маски. Фоторезисты — материалы с контролируемой химической реакцией на EUV и минимальной шероховатостью получаемого рисунка. Электронно-лучевая запись — нанесение рисунка на маски с нанометровой точностью. Оптическая коррекция OPC — программно рассчитывать искажённую маску, чтобы после прохождения оптики получалась нужная геометрия. Осаждение атомарно тонких слоёв — ALD/CVD/PVD с контролем толщины буквально на уровне отдельных атомных слоёв. Плазменное травление — выборочно удалять материал, не повреждая соседние слои. Ионная имплантация — внедрять примеси в кремний на строго заданную глубину и концентрацию. Атомарное легирование и активация — получать требуемые электрические свойства транзистора. CMP — выравнивать поверхность после каждого сложного набора слоёв практически до идеальной плоскости. Нанометрическая метрология — измерять размеры, толщину, совмещение слоёв и дефекты прямо в процессе производства. Контроль частиц — обнаруживать и устранять загрязнения, способные испортить отдельный транзистор. GAA/nanosheet-транзисторы — массово формировать нанолисты с одинаковой геометрией на всей пластине. Многоуровневая металлизация — создавать десятки уровней сверхтонких соединений с минимальным сопротивлением и паразитными ёмкостями. Совмещение слоёв (overlay) — накладывать десятки последовательных рисунков друг на друга с нанометровой точностью. Высокий yield — научиться делать всё это миллиарды раз подряд так, чтобы дефекты не превращали производство в брак. Передовая упаковка — сверхплотное соединение кристаллов, TSV, гибридная 3D-сборка, chiplet и CoWoS-подобные системы. HBM — производство многослойной памяти и её соединение с вычислительными кристаллами. Собственная следующая литография — после обычной EUV освоить High-NA EUV, новые маски и соответствующую оптику.тику.
2026-09-23 13:14:30
Сохранен
57
2026-08-05 11:17:23
Сохранен
28
2026-06-02 21:28:58
Сохранен
107
Старый добрый советский пиздинг технологий за 40к евро — Российского инженера Германа А. (German A.) обвинили в краже и передаче российским властям секретных данных компаний ASML, NXP, GlobalFoundries и TSMC. Эта информация могла оказаться полезной для создания оборудования, способного производить микросхемы по технологии 28 нм, сообщает нидерландская газета NRC. Незаконный доход подозреваемого, по версии нидерландских правоохранительных органов, составил около €40 000. Сейчас ему грозит от 18 до 32 месяцев тюрьмы. В одиночку украсть полный комплект данных он не мог, но на это была бы способна скоординированная группа. Инженера обвиняют в передаче в Россию технических материалов ASML, NXP, GlobalFoundries и TSMC, включая руководства по производству полупроводниковой продукции и машин для выпуска чипов. Следствие утверждает, что ему удалось получить 105 внутренних документов ASML и 88 файлов, связанных с TSMC. Эти данные он предположительно передал через облачные ресурсы и мессенджеры, а также с помощью USB-накопителя в Москву. Кроме того, инженера связали с попыткой приобрести оборудование для химического осаждения из паровой фазы: сначала его пункт назначения сменили на израильский адрес, а затем вообще отказались от доставки. Германа А. арестовали в августе 2024 года после операции нидерландских спецслужб. Спустя месяц ASML и NXP получили официальное уведомление о подозрении их сотрудника в шпионаже. Сейчас его дело рассматривается в суде; предполагается, что обвиняемый связан с российской разведкой. В расследовании приняли участие обе компании.
2025-04-04 06:05:53
Сохранен
432
2024-06-09 10:42:57
Сохранен
469
2020-03-07 23:36:33