Добавлена поддержка Ежчана (ejchan.net, ejchan.site). Набегаем, тестируем архивацию, сообщаем о замеченных проблемах.
К сожалению, значительная часть сохранённых до 2024 г. изображений и видео была потеряна (подробности случившегося). Мы призываем всех неравнодушных помочь нам с восстановлением утраченного контента!
Сортировка: за
Активный
190
2026-09-25 11:13:22
Удален?
450
2026-09-25 08:24:55
Активный
103
2026-09-25 10:07:36
Сохранен
41
2026-09-24 12:46:18
Сохранен
31
2026-09-24 10:09:00
Сохранен
38
2026-09-24 09:40:34
Сохранен
13
2026-09-23 09:04:43
Сохранен
55
2026-09-23 10:06:30
Сохранен
3
2026-09-22 21:34:07
Сохранен
4
2026-09-22 19:19:30
Сохранен
9
2026-09-22 17:05:47
Сохранен
20
2026-09-22 17:12:31
Сохранен
14
2026-09-22 10:52:41
Сохранен
1
2026-09-22 10:52:41
Сохранен
356
2026-09-23 05:08:11
Сохранен
260
Эту хуйню нам никогда не догнать, пора бы уже признать очевидное. Чтобы сделать топовый процессор ну — Эту хуйню нам никогда не догнать, пора бы уже признать очевидное. Чтобы сделать топовый процессор нужно всего лишь: Монокристаллический кремний — выращивание практически бездефектных 300-мм кристаллов. Сверхплоские пластины — полировка поверхности до атомарной гладкости. EUV-источник — лазер, стреляющий по микрокаплям олова, стабильная оловянная плазма и получение мощного излучения 13,5 нм. EUV-зеркала — многослойные Mo/Si-зеркала с экстремально малой шероховатостью и контролем каждого слоя. EUV-оптика — система зеркал с юстировкой на нанометровом уровне. Сверхвысокий вакуум — камеры, насосы и материалы, пригодные для EUV. Нанопозиционирование — столы и приводы, перемещающие пластину с субнанометровой точностью. EUV-фотомаски — сверхчистая заготовка, многослойное покрытие, электронно-лучевая запись, травление, ремонт и контроль дефектов. EUV-пелликулы — почти прозрачная для EUV сверхтонкая защитная мембрана маски. Фоторезисты — материалы с контролируемой химической реакцией на EUV и минимальной шероховатостью получаемого рисунка. Электронно-лучевая запись — нанесение рисунка на маски с нанометровой точностью. Оптическая коррекция OPC — программно рассчитывать искажённую маску, чтобы после прохождения оптики получалась нужная геометрия. Осаждение атомарно тонких слоёв — ALD/CVD/PVD с контролем толщины буквально на уровне отдельных атомных слоёв. Плазменное травление — выборочно удалять материал, не повреждая соседние слои. Ионная имплантация — внедрять примеси в кремний на строго заданную глубину и концентрацию. Атомарное легирование и активация — получать требуемые электрические свойства транзистора. CMP — выравнивать поверхность после каждого сложного набора слоёв практически до идеальной плоскости. Нанометрическая метрология — измерять размеры, толщину, совмещение слоёв и дефекты прямо в процессе производства. Контроль частиц — обнаруживать и устранять загрязнения, способные испортить отдельный транзистор. GAA/nanosheet-транзисторы — массово формировать нанолисты с одинаковой геометрией на всей пластине. Многоуровневая металлизация — создавать десятки уровней сверхтонких соединений с минимальным сопротивлением и паразитными ёмкостями. Совмещение слоёв (overlay) — накладывать десятки последовательных рисунков друг на друга с нанометровой точностью. Высокий yield — научиться делать всё это миллиарды раз подряд так, чтобы дефекты не превращали производство в брак. Передовая упаковка — сверхплотное соединение кристаллов, TSV, гибридная 3D-сборка, chiplet и CoWoS-подобные системы. HBM — производство многослойной памяти и её соединение с вычислительными кристаллами. Собственная следующая литография — после обычной EUV освоить High-NA EUV, новые маски и соответствующую оптику.тику.
2026-09-23 13:14:30
Сохранен
34
2026-09-22 10:52:41
Сохранен
257
2026-09-22 10:52:41
Сохранен
8
2026-09-20 14:53:10
Сохранен
27
2026-09-20 20:10:13
Сохранен
166
2026-09-19 14:21:42
Сохранен
263
2026-09-20 08:12:14